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TLC颗粒惹争议?编辑解析三星840秘密


CBSi中国·ZOL 作者:中关村在线 孙玉亮 责任编辑:孙玉亮 【原创】 2012年10月16日 12:49 评论

    9月25日,三星840系SSD在韩国发布,令人大跌眼镜的是这款三代SSD并没有采用19nm闪存,而是采用全新三核主控和21nm的MLC/TLC闪存。一度以19nm闪存为看点的三代SSD出现新的发展方向,其中最大的亮点莫过于TLC闪存大规模应用,它的价钱仅为MLC闪存的一半,从而推动高性能SSD彻底走向平民普及呢?


三星SSD 840PRO VS 840 VS 830
三星830系SSD (256,512GB) 三星840系SSD (500GB) 三星840PRO系SSD (256,512GB)

  主控芯片

Samsung MCX Samsung MDX Samsung MDX

  闪存芯片

27nm/MLC 21nm/TLC 21nm/MLC

  持续读取

520MB/s 540MB/s 540MB/s

  持续写入

400MB/s 330MB/s 450MB/s

  随机读取

80K IOPS 98K IOPS 100K IOPS
  随机写入 36K IOPS 70K IOPS 78K IOPS

  从上表来看,三星840系列SSD采用了全新的TLC颗粒,这在SSD市场上也属先例。在刚刚发布SSD的时候,很多人就质疑MLC会比TLC的寿命更短,使用性能更差,当时反对声音比比皆是。如今三星采用TLC的固态硬盘,想必也是如出一辙。

普及版三星840系SSD
三星840系列固态硬盘

    TLC即Triple-Level Cell的缩写,是2bit/cell的MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,TLC利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。

  TLC闪存的特点:

  1、存储密度最高,容量至少达到MLC的1.5倍

  2、制造成本最低,其价格较之MLC闪存最大降低50%

  3、制造工艺仅次于MLC,高于SLC

  4、使命寿命最低,理论上的读写速度最慢。 

  由于TLC的电压变化频率是三种类型闪存中最高,因此TLC闪存的使用寿命也是最低,只有MLC闪存的1/20,第一代TLC闪存仅仅具有500-1000次可重复擦写次数的使用寿命。同时它的读写速度也是最慢,由于一个浮动栅存储3个单元,比之MLC需要更长的时间。

SLC NAND Flash MLC NAND Flash TLC NAND Flash
制造成本 30-35美元/32GB 17美元/32GB 9-12美元/32GB
擦写次数 10万次或更高 1万次或更高 5000次甚至更高
存储单元 1bit/cell 2bit/cell 3bit/cell

    三星如何解决TLC寿命问题

    其一是三星用更大的空间来弥补写入寿命低的不足,在三星840系列固态硬盘中,我们看到的容量与之前不管是SandForce还是Marvell的容量都不相符,仅有120GB、250GB和500GB,那么剩余的8GB/6GB/12GB就充当了备用区块。

    另外,三星可能在信号处理,更强的ECC算法等提高TLC闪存耐久度的技术上有所突破,同时采用上叙两种办法延长TLC/SSD的使用寿命。

    就像当时MLC颗粒出现的时候,大家也都在担心其寿命和性能,但是随着主控技术的提高,算法的进一步优化,其实TLC固态硬盘也会大批量的出现在用户眼前。

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