闪存密度越来越高带来的是更大容量的设备,但是如果要做到更小尺寸怒,那非得减少闪存芯片的面积不可。美光今天宣布推出全球最小的128Gb NAND闪存芯片,采用20纳米制程,TLC闪存技术,裸片面积只有146平方毫米,比目前的MLC芯片尺寸小25%。
美光将有限的MLC闪存优先提供给拼过
TLC闪存每单元存储3bit数据,它更高的密度的代价是相对较低的写入速度和较差的耐久力,目前只有三星840系列固态硬盘使用这种技术。
传闻美光也并没有将其用在SSD上的打算,128Gb的NAND目前只会用于可移动存储市场,例如SD和USB闪存驱动器,这样可以进一步提升这些设备的容量。
预计美光将在下一季度开始量产这款芯片。
背景:美光MLC闪存优先供应苹果,逐渐收缩供应其他SSD厂商和存储卡/优盘制造商。目前手机、存储卡/优盘是前两大应用闪存的最多地方,因此美光紧跟开发出TLC闪存供应给存储卡/优盘制造商。
编辑点评:我们从新闻可以猜测到美光TLC闪存的P/E寿命只有几百次。如果加上前不久东芝发布的19nm TLC闪存(P/E寿命也是几百次),以及三星的21nm TLC闪存,目前三大闪存制造厂均有TLC闪存产品,其中三星TLC闪存的P/E寿命次数超过1000次。
寿命值较低的闪存运用到优盘,其实很多一线品牌开始那么做。为何现在优盘那么便宜,很大程度上是因为采用TLC闪存的原因。
笔者从去年年底开始,每个月都能收到数个坏的优盘,容量集中在16GB-64GB,基本都是新买的产品。现在优盘便宜,但是它们的质量却不如以前MLC闪存制造的优盘。