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    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密
      [ 中关村在线 转载 ] 作者:郑兆远   |  责编:郑兆远
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        美光M500 SSD的不堪回首,将美光20nm IMFT闪存推到风口浪尖,令人诟病的闪存性能甚至拖累其它品牌SSD。曾有SSD厂家技术人员交流:“曾几何时美光闪存是高性能的代言词,如今不是它便宜,我们甚至不愿意采用它。”

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密
    美光M550 SSD

        进入2014年,美光推出M550 SSD一雪前耻,强劲的性能令人刮目相看,它是怎么做到的?其实性能爆发的秘密就在闪存。

    ■揭开美光M550性能暴增的秘密:

        美光M550对比M500的最大进步当数写入性能的全面提升,这归功于两者在闪存配置上的差异,它是怎么做到的?

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密
    美光M550 SSD PCB电路板

        美光M500采用128Gb(16GB)Die闪存,因此M500 120GB版本只有8CE,240GB版本也只有16CE。Marvell 88SS9187/9189两款主控支持8个通道,每通道硬件支持4CE,因此只有闪存CE数量达到32时才能跑出最佳性能。说到这里,网友就不难理解美光120GB/240GB SSD为何性能不佳。

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密
    美光M550 20nm闪存

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密

        美光M550 128GB/256GB SSD采用64Gb(8GB)Die闪存,分别具有16CE和32CE,写入速度自然可以翻倍。不过美光M550的512GB/1TB版本仍采用128GB(16GB)Die闪存,写入速度提高不如128GB/256GB版本那般明显。

    测试成绩
    测试子项目 美光M500 240GB SSD(20nm/128Gb) 美光M550 256GB SSD(20nm/64Gb) 差距
    AS SSD Benchmark读写测试(单位:MB/秒)
    读取 503.14 524.41 +4.2%
    写入 270.09 481.83 +78.3%
    4K-64Trd读 319.29 385.25 +20.6%
    4K-64Trd写 236.73 326.74 +38%
    AS SSD Benchmark 随机读写测试(单位:IOPS)
    4K随机读取 6966 8335 +19.6%
    4K随机写入 30187 31651 +4.8%
    4K-64Trd读 81738 98624 +20.6%
    4K-64Trd写 60604 83645 +38%
    总计
    +28%

        编辑点评:美光M550对比M500的最大进步在于写入性能大幅提高,它的读取性能也有小幅提升。这里面还有诸如主控、缓存、算法设计的功劳,但是它们的作用没有闪存那么大。

        美光M550和浦科特M6S平分秋色,浦科特6月份发布的M6P显然是来者不善,后续还有三星的850PRO、850系列SSD。所幸美光16nm 128Gb(16GB)MLC/TLC闪存已经量产,美光新一代SSD拍马将至。

    ssd.zol.com.cn true //ssd.zol.com.cn/452/4525982.html report 1877     美光M500 SSD的不堪回首,将美光20nm IMFT闪存推到风口浪尖,令人诟病的闪存性能甚至拖累其它品牌SSD。曾有SSD厂家技术人员交流:“曾几何时美光闪存是高性能的代言词,如今不是它便宜,我们甚至不愿意采用它。” 美光M550 SSD    ...
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