全新升级 三星新版850 EVO 1TB SSD评测

    随着TLC大规模的应用，SSD的价格逐渐走低，2016年势必成为SSD全面普及的元年，存储厂商三星针对SSD存储市场高中低端完成全面布局，SSD 850 EVO以其不错的性能和差异化竞争的价格成为中流砥柱。在性能、价格问题得到解决后，SSD面临的最后问题就是容量，继第一代V-NAND闪存后，三星又推出了新的SSD 850 EVO产品，部署第三代的V-NAND闪存，存储密度更高，只需四颗就实现了1TB容量。

    新版三星SSD 850 EVO 1TB采用了新的MGX主控（老版本SSD 850 EVO除了1TB版本也都采用了MGX主控），编号为S4LN062X01-Y030，此前MEX主控的编号是S4LN045X01-Y030，内存缓存容量由之前的LPDDR2升级为LPDDR3，带宽更高，最大持续读写性能依然维持在540MB/s和520MB/s。

新版三星SSD 850 EVO 1TB

    新版三星SSD 850 EVO 1TB内存颗粒编号为K4E8E16，为LPDDR3类型，单颗容量为8Gb，也就是1GB容量。

新版三星SSD 850 EVO 1TB拆解后内部一览

新版三星SSD 850 EVO 1TB SSD正反面闪存颗粒分布图

    NAND闪存方面，得益于新的48层V-NAND（第二代V-NAND采用了32层垂直堆叠而成），存储密度显著提升，此前1TB版本需要8颗V-NAND，现在只需要4颗V-NAND就可以实现高达1TB容量。

S4LN062X01-Y030的MGX主控芯片

颗粒编号为K4E8E16的内存颗粒，容量为1GB LPDDR3

颗粒编号为K90MGY8S7M的256GB V-NAND闪存颗粒

    新版三星SSD 850 EVO 1TB的V-NAND的颗粒编号为K90MGY8S7M，单颗容量为256GB，共计4颗组成1TB容量，而此前的1TB版本则使用了8颗编号为K90KGY8S7C V-NAND。

测试平台配置软硬件一览

    为了最大限度发挥SSD的性能，测试使用最新的Intel Z170+Core i7-6700K硬件平台，测试SSD开启AHCI，测试SSD连接到Z170芯片组原生SATA 6Gbps接口。测试软件包括CrystalDiskMark、ATTO Disk Benchmark、AS SSD Benchmark和PCMark 8。