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    追赶三星 东芝斥资再建3D NAND闪存工厂

      [  中关村在线 原创  ]   作者:  |  责编:孙玉亮
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        日前,东芝正式宣布在日本四日市新建工厂,用来扩大生产其专有的3D NAND Flash——BiCS FLASH。东芝希望通过开发最新的BiCS FLASH和新一代的存储器扩大其存储业务,积极响应市场需求,并扩充投资,提升其产品竞争力。

        东芝在2016年3月就曾表示要建造一个新的BiCS FLASH工厂,并计划在未来3年内投资额达8600亿日元,其中包括建新3D NAND工厂,更新现有设备等,现在终于给出了新工厂建设的时间表。

    追赶三星 东芝斥资再建3D NAND闪存工厂

        东芝表示,预计将在2017年2月开始动工新建专用于生产3D NAND Flash存储芯片的晶圆厂。和Fab 5工厂一样,新晶圆工厂的建设也将分两个阶段,以优化投资步伐和市场趋势,其第一阶段预计将在2018年的夏天完成,该工厂将具备防震和环保的设计,内部LED全照明,配备最新的节能制造设备,还将引入先进的人工智能(AI)生产系统以提高整体生产力。

        东芝还计划在新建的工厂附近设立一个专门Memory研发中心,这各举措将汇集来自不同地方的研究成果,同时推动NAND Flash技术的开发进度。

    ● 东芝2006年新建Fab 4工厂,2007年投产。
    ● 东芝与SanDisk合资在2010年新建Fab 5工厂,2011年开始投产。
    ● 东芝与SanDisk合资在2013年新建Fab 5二期工厂,2014年开始投产。
    ● 东芝与SanDisk合资在2015年将Fab 2工厂改建成3D NAND专用工厂,于2016年开始投产。

        在NAND Flash技术拐点,面对三星早早投入3D技术生产,东芝表现的比较淡定,可能认为64层以下3D技术相较于当时2D 1znm工艺没有成本优势,所以并未大量投产3D NAND,2016年量产的48层3D NAND也不对外销售。

        随着3D技术发展到64层堆叠,东芝2016下半年宣布64层堆叠3D NAND开始送样,初期存储密度为256Gb容量,然后再提高到512Gb量产,目标是在2017年将整体3D NAND生产比重提高至50%,2018年度进一步提高至90%左右的水平。

        东芝是第二大NAND Flash芯片制造商,为了提高BiCS FLASH投产,在2015年改建的Fab 2工厂已于2016年进入初期投产阶段,再加上东芝宣布3D技术进入64层堆叠,其产能规划,市场策略等都将影响NAND Flash市场的发展。

        对于新建的Fab工厂的总体产能、设备投资、生产能力、生产计划和投产时间,东芝表示将视未来市场发展动向而定,而且东芝也希望继续与Western Digital(WD)进行协商、讨论,就新工厂的共同投资和闪存合资企业的运营。

        东芝上调2016财年预计数据,截止至2017年3月的营业利润将达到1800亿日元(约合17.7亿美元),较此前预计的1200亿日元(约合11.8亿美元)增长50%。

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