新革命？非挥发性存储器技术将代替SSD

    根据外媒报道，NAND Flash固态硬碟(SSD)袭卷了过去10年的储存技术产业，而非挥发性存储器(NVM)消除了DRAM与储存硬碟间的差异，势必掀起一波更大的革命。由微软(Microsoft)与英特尔(Intel)所组成的Wintel联盟，即将卷土重来，成为这波革命背后最主要的推手。 

　　相关报道指出，Flash SSD速度虽较传统旋转磁碟装置快上许多，但两者的I/O堆叠其实没有太大的差异，因此Flash SSD在执行数据写入时，仍有延迟、错误等缺点。反观NVM除了速度更快之外，其存储器还拥有持久型储存的功能，也就是储存级存储器(SCM)的能力。 

　　储存级存储器产品目前在价格上仍无法与NAND Flash竞争，因此还要几年的时间才有机会成为主流，不过现在仍可利用存储器汇流排上的非挥发性DIMM(NVDIMM)大幅提升系统速度。像是记忆储存厂商Plexistor便打造了一套具备非挥发性存储器意识(NVM-aware)的档案系统，能够将I/O性能提升6~8倍，且延迟不到现今档案系统的10分之1。 

　　有鉴于CPU性能提升所能带来的效益面临了极限，微软与英特尔等大厂开始将更多资金投入非挥发性存储器与储存级存储器技术的研发。英特尔的3D XPoint，以及惠普企业(HPE)的Persistent Memory都是其中的例子。另外像是磁性存储器(MRAM)和电阻式存储器(RRAM)等储存级存储器技术，也都蓄势待发，准备颠覆既有的系统架构。 

　　事实上，非挥发性存储器与储存级存储器虽是创新的技术，但它们的优点，有不少都曾出现在更早的技术中。例如，磁芯存储器(Magenetic Core Memory)的持久性，让它即使在DRAM价格不断下滑的情况下，还是能大受欢迎;IBM的System 38同样也只有单一存储器层，并以硬碟作为存储器空间的虚拟延伸。然而这些架构最终多被人遗忘，成为历史。 

　　目前最受关注的非挥发性存储器技术，不仅速度快，价格也十分合理。虽然不会如Flash般便宜，但像是3D XPoint的价格就比DRAM更低。非挥发性存储器技术除了会大量使用在PC与NB上，还有机会出现在更大规模的储存系统应用。  

本文属于原创文章，如若转载，请注明来源：新革命？非挥发性存储器技术将代替SSD//ssd.zol.com.cn/619/6195818.html