海力士2017年量产第四代72层3D NAND

    众所周知，在过去的2016年，受制于闪存颗粒制程升级的不顺，引发全行业闪存量产不足，从而导致固态硬盘产品价格的疯涨。

    而在2017年，毫无疑问各大闪存原厂都将加大研发力度，突破3D NAND技术瓶颈，从而占领闪存市场的定价权。

    近日，从供应链得到的消息，闪存原厂SK海力士，宣布将在2017年稍晚的时候正式推出第四代3D NAND技术，该技术的核心在于闪存堆叠层数由第三代的48层增加到72层，单晶粒容量将达到512Gb(64GB),从而使得封装后的闪存芯片最高容量能够轻松达到1TB，“TB”时代就此到来。

    当然，除了SK海力士在2017年即将量产第四代3D NAND技术，包括东芝、三星以及Intel等原厂也都将在2017年推出各自新一代3D NAND技术，2017年注定是闪存市场格局重新划分的关键之年。

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