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    持续发力 三星宣布8nm、6nm工艺将问世

      [   原创  ]   作者:  |  责编:孙玉亮
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        近年来,三星半导体业务可谓一日千里,新工艺进展神速而且表现优秀,同时Exynos系列处理器也是大杀四方。

        三星电子今天宣布,10nm FinFET工艺自从2016年10月底率先投产以来,按照预期取得了稳定的高良品率,满足了客户需求——这显然是在驳斥业内有关10nm良率不佳的传闻。

    持续发力 三星宣布8nm、6nm工艺将问世

        三星透露,迄今为止,已经出货了超过7万块采用第一代10nm LPE(Low Power Earlr)工艺制造的晶圆。

        三星自家的Exynos 8895,以及高通的骁龙835,都采用这种工艺制造。

        另外,三星还宣布增加8nm、6nm工艺,它们分别是10nm、7nm的改进版,官方宣称“可比现有工艺提供更好的灵活性、性能、功耗优势”,满足不同客户需求,带来更强的成本竞争优势。

        三星将在5月24日举办美国三星代工论坛,披露8nm、6nm的更多技术细节。

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    ssd.zol.com.cn true http://ssd.zol.com.cn/631/6316988.html report 656 近年来,三星半导体业务可谓一日千里,新工艺进展神速而且表现优秀,同时Exynos系列处理器也是大杀四方。三星电子今天宣布,10nm FinFET工艺自从2016年10月底率先投产以来,按照预期取得了稳定的高良品率,满足了客户需求——这显然是在驳斥业内有关10nm良率不佳的...
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