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    三星绘DRAM蓝图:15nm是制程物理极限

      [ 互联网 转载 ] 作者:佚名   |  责编:孙玉亮
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      三星电子为了巩固存储器霸业,制定DRAM发展蓝图,擘划制程微缩进度。业界预估,15纳米可能是DRAM制程微缩的极限,担忧三星遭中国业者追上。

      韩媒etnews 18日报导,业界消息称,三星去年开始量产18纳米DRAM,目前正研发17纳米DRAM,预定今年底完成开发、明年量产。与此同时,三星也成立16纳米DRAM开发小组,目标最快2020年量产。相关人士透露,微缩难度高,2020年量产时间可能延后。

    三星绘DRAM蓝图:15nm是工艺制程物理极限

      三星从20纳米制程(28→25→20),转进10纳米制程(18→17),缩小线宽(Line-width)的速度明显放缓。三星尚未成立15纳米制程以下的研发团队,因为由此开始,电流外泄和电容器干扰和情况将更为明显,需要开发新的材质。

      三星设备解决方案部门的半导体实验室人员Jung Eun-seung说,为了继续缩小线宽,必须开发与当前不同的新材质,并提高制程稳定性,以便进入量产。

      业界人士估计,15纳米或许是制程微缩的极限,未来三星可能难以透过制程微缩拉大与对手差距,并担忧中国业者急起直追,赶上三星。

    ssd.zol.com.cn true http://ssd.zol.com.cn/635/6359164.html report 843   三星电子为了巩固存储器霸业,制定DRAM发展蓝图,擘划制程微缩进度。业界预估,15纳米可能是DRAM制程微缩的极限,担忧三星遭中国业者追上。  韩媒etnews 18日报导,业界消息称,三星去年开始量产18纳米DRAM,目前正研发17纳米DRAM,预定今年底完成开发、明年...
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