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    1/10 TLC延迟 东芝宣布3D NAND新变种XL闪存

      [  中关村在线 原创  ]   作者:赵华铭   |  责编:李诺

      在近日的闪存峰会上,东芝宣布了一种3D NAND的全新变体——XL闪存。和东芝的96层BiCS4 3D NAND类似,XL闪存使用较短的位线(bit lines)和字线(word lines)来构建闪存芯片,东芝称XL闪存在延迟方面仅有TLC NAND的十分之一,可以提供更好的随机读取,尤其是在低队列深度上。

    1/10 TLC延迟 东芝宣布3D NAND新变种XL闪存

      据了解,早期内XL闪存将使用SLC,未来可能会有MLC,并且XL闪存将用于企业和数据中心。XL闪存看起来和三星的Z-SSD非常相似,两者都试图将现有的NAND转换为可以和诸如英特尔的3D XPoint之类的非易失性存储器竞争的产品。

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    ssd.zol.com.cn true http://ssd.zol.com.cn/695/6954494.html report 465   在近日的闪存峰会上,东芝宣布了一种3D NAND的全新变体——XL闪存。和东芝的96层BiCS4 3D NAND类似,XL闪存使用较短的位线(bit lines)和字线(word lines)来构建闪存芯片,东芝称XL闪存在延迟方面仅有TLC NAND的十分之一,可以提供更好的随机读取,尤其是在低队列...
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