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    三星DRAM设计高管欲跳槽中国 韩法院阻止

      [  中关村在线 原创  ]   作者:霍杰华   |  责编:杨勇
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    01三星DRAM设计高管跳槽中国

    产品:860 QVO SATA III(4TB) 三星 固态硬盘

        据报道,2月24日,三星电子某前任高管计划入职中国半导体企业,三星电子向韩国法院提出了调职禁止假处分申请,韩国法院已受理。

         该高管曾在三星电子负责DRAM设计,对三星半导体事业发展做出许多贡献,2015年还受到韩国产业通商资源部长的表彰,2017年底三星电子将其调任至三星SDI,去年该高管决定跳槽至中国半导体企业。三星电子得到此消息后,马上向韩国法院提出了调职禁止假处分申请。

    三星DRAM设计高管欲跳槽中国 韩法院阻止

         公司对离职者提出诉讼会产生许多问题。由于调职禁止假处分与职业选择自由权相冲突,韩国法院不轻易受理。即便如此,三星电子此次申请仍被受理,意味着该离职高管的跳槽行为非常敏感,很有可能导致商业机密泄露。韩国法院认定三星电子所拥有的技术有受到保护的价值,该离职高管为该技术的关键工程师,所以受理了该调职禁止假处分申请。据悉该高管不同意韩国法院的决定,已提起上诉。


        据悉该离职高管计划跳槽的中国DRAM半导体企业目前正在准备量产,通过聘用世界第一的DRAM企业——三星电子的研发人才,来提升技术能力。

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