3大优势 解析三星840 EVO固态硬盘卖点

    在性能过剩的后DIY时代，无论是CPU或者显卡如何更新，都无法比拟固态硬盘上市给用户带来的巨大冲击。其实这一现状不难理解，CPU和显卡完全可以满足用户的基本需求，但是硬盘却经历半个世纪没有多少改进，所以固态硬盘的问世是后DIY时代最值得关注的。

    经过几年的发展，如今固态硬盘已经形成了一定的格局分布，其中最大赢家便是三星SSD。三星SSD可以说是固态硬盘行业的后起之秀，凭借着自身的技术实力，从主控到闪存都实现了自主化，被用户誉为“原厂”固态硬盘。在2013年7月份，三星再度重磅推出840 EVO固态硬盘，隶属于840的升级版产品，那么下面笔者就来分析一下新840 EVO能否坚守840固态硬盘的阵地。

3大改变 解析三星840 EVO固态硬盘卖点

改变一：TurboWrite助阵 性能大幅提升

    首先相比840固态硬盘，新的840 EVO固态硬盘最大的区别就是增加了750GB和1TB的容量，很容易让我们联想到三星的NAND制程工艺有了新的变化。目前很多固态硬盘仍然采用着2Xnm的工艺，每个die的容量基本上是64Gb，单片NAND容量32Gb。而新的840 EVO采用1Xnm的工艺，每个die的容量从64Gb提升到128Gb，这样就意味着三星840 EVO不需要通过增加NAND数量就能够轻松让容量翻倍，正反两面16颗NAND布置的SSD就能实现1024GB的总量了，这在64Gb NAND上是做不到的。

三星840 EVO采用全新1Xnm工艺NAND

    提升固态硬盘的容量是当今该领域必须要解决的问题，因为传统机械硬盘依靠着大容量仍然占据着主导地位，所以三星840 EVO提供了1TB的容量很好的解决了一些用户对于固态硬盘容量的需求，成为很多发烧玩家的首选。

    下面就通过几个测试项目看看新老840固态硬盘在性能上有什么样的差异。

三星250GB 840固态硬盘

三星250GB 840 EVO固态硬盘

    在AS SSD测试中，明显感觉到三星840之前一直被诟病的写入速度有了明显提升，从250MB/s提升至480MB/s。

三星250GB 840固态硬盘

三星250GB 840 EVO固态硬盘

    在CMD测试中，几乎所有项目较之前的840固态硬盘都有一定的提升，同样还是持续写入速度提高明显。

    为何三星840 EVO会提升这么明显呢？其实840 EVO较840最大区别之处就是加入了TurboWrite技术，讲的通俗一些就是高性能缓冲技术，可以再固态硬盘比较空闲的时候将其中的数据传给硬盘。

    简单的理解，实际上就是用MLC来模拟SLC的工作方式，以3bit MLC举例来说，由于有8个状态，而SLC只有两个，那么如果将3bit MLC也标记为两个状态，即000~011均认为是0，而100~111均认为是1，也就是说只判断最高位的状态，那么控制起来就更加简单了，同时速度也会大幅度提高，耐久度也有保证。

优势二：软件支持 应用面更广

    除了SSD本身的性能提升之外，三星还为840 EVO提供了软件支持，三星Magician 4.2的新版发布加入了对840 EVO的支持，同时还提供了不少新功能，包括RAPID模式，意思是“IO数据实时加速处理”(Real-time Accelerated Processing of I/O Data)，简而言之，能让SSD再提速！

三星Magician4.2（新增RAPID Mode工具）

检查SSD 启用RAPID Mode

点击OK

RAPID Mode成功开启

开启软件前后对比

    开启RAPID Mode后，产品在读写方面将有非常明显的提升，通过实际测试，可以看到，右侧为Rapid Mode处理过的产品数据，性能提升巨大，这样会让使用者体验到更高速的性能。

    另外，三星软体增值还包括数据迁移，磁盘擦写等等很多实用性的软件应用，给用户非常不错的体验感受。

新技术 高性能缓冲“TurboWrite”

    当然，除了主控性能提升以外，还有一个840 EVO较840最大区别之处就是加入了TurboWrite技术，讲的通俗一些就是高性能缓冲技术，可以再固态硬盘比较空闲的时候将其中的数据传给硬盘。

    简单的理解，实际上就是用MLC来模拟SLC的工作方式，以3bit MLC举例来说，由于有8个状态，而SLC只有两个，那么如果将3bit MLC也标记为两个状态，即000~011均认为是0，而100~111均认为是1，也就是说只判断最高位的状态，那么控制起来就更加简单了，同时速度也会大幅度提高，耐久度也有保证。

    不过8个状态标记为2个状态，TurboWrite模式所带来的问题就是实际使用的空间只有原来的1/3。三星为840 EVO的各个版本分别分配了3GB、3GB、6GB、9GB和12GB的TurboWrite缓存空间，实际上它们是9GB、9GB、18GB、27GB和36GB。

各容量SSD实际缓存容量

　　SLC、MLC、TLC分别是单层、双层和三层闪存单元，TLC的写入是最耗时的，所以三星就加了这么个缓冲，本质还是TLC，但工作在SLC模式下。这就相当于把TLC当作SLC来用，性能自然可以大大提高，但仅仅是外部与缓冲器之间而已，缓冲器与硬盘之间依旧是老样子。

　　TurboWrite缓冲器的容量依型号而不同，比如1TB里划分出来了36GB，但是按照TLC、SLC的对应关系，实际能缓冲的数据量最多为12GB。

性能测试TurboWrite

　　从理论上讲，如果缓冲区写满了，继续写入的话性能就会跌到普通水平，等到缓冲区再度空闲性能又可以再次得到提升。上图测试就是说TurboWrite缓存空间用满之后，就必须等待其中的数据写入到非缓存空间，此时写入性能会低至和上一代840差不多的水平。比如使用CrystalDiskMark软件将测试样本设定为4000MB，5次测试下来的平均速度从520MB/s降低到了400MB/s。

全文总结：

    三星840 EVO SSD拥有①顶尖的SAT3.0 SSD性能、②超大容量、③更低的生产成本、④四位一体的研发生产等四大优势。其核心是领先一代制造工艺的10nm级别 3bit MLC闪存，它拉开东芝/闪迪、美光/英特尔的闪存制造工艺差距，同时让更多没有掌握闪存生产的SSD厂家倍感压力。

三星840EVO的推出，依靠先进的闪存、更高频率的三核主控、TurboWrite技术来提高整体性能。