闪存发展趋势：3D NAND技术是未来

    虽然目前，许多原厂还没有完全掌握3D NAND技术，但是随着市场对于大容量存储设备需求的不断走高，2D NAND生产线的成本不断提升，以及3D NAND技术带来的利润翻倍，都将推动各大原厂积极探索和研究更高堆叠层数的3D NAND技术。

    根据笔者了解，包括三星、东芝等以上六大原厂厂商，都已早在2016年年初开始研发3D NAND技术，而在即将到来的2017年更是会推出基于新一代3D NAND技术制造的闪存产品，以满足当下智能手机、固态硬盘等设备对于大容量颗粒的需求。

（图片来自网络）

    上表，是各大闪存原厂的技术更新表，通过表格我们可以轻松看到，各大原厂已经在2016年研发了基于48层或32层的3D NADN闪存颗粒，由于技术不成熟以及2D NAND生产线替换问题，如今3D NAND的良品率并不高，总产量也不够高，因而才引发了当下固态硬盘市场价格的疯涨。

3D NAND量产太低

    可以预计，随着2017年各大闪存厂商开始专心研发3D NAND闪存，以及2D NAND生产线替换的完成，闪存颗粒市场的3D NAND将成为绝对的主流，同时由于量产的提高和良品率的提升，闪存颗粒的出厂价势必也会应声下调，那个时候也就是各类存储设备价格回归正常的时候。

3D NAND技术将成为发展趋势

    最后，笔者想说的是，闪存颗粒技术在这几年，除了制程上有着小规模的提升外，3D NAND技术的出现绝对是闪存制造工艺史上的革命，同时也是闪存颗粒发展的未来趋势，更低的成本、更高的容量，带来的是更高的利润率，这也是各大原厂争相研发3D NAND技术的根本原因吧。