NAND闪存战争 TLC能否战胜MLC成主流？

     随着固态硬盘市场的快速发展，固态硬盘所使用的闪存也备受关注。目前市场上主流的闪存有两种，一种是MLC，一种是TLC。而TLC从诞生开始就被广大消费者认为是性能差、可靠性低、寿命短，因此并不受消费者待见。TLC闪存就真的比不上MLC闪存吗？现在游戏画面逐渐精美，软件功也更加强大，随之而来的的也是容量的提升市场对闪存容量的要求越来越高，我们先不论性能方面，至少对NAND厂商来说，TLC闪存大容量、低成本的诱惑无法抵挡。

NAND闪存战争 TLC能否战胜MLC成主流？

    首先从了解闪存颗粒有哪些开始。闪存市面上常见的有SLC、MLC、TLC。下面我们来看一下三种架构芯片的区别。

TLC芯片架构

    SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，其结构简单但是执行效率高，最大的特点就是速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。其在企业级SSD上比较常见，例如经典的Intel X25-E系列，此外在一些高端的U盘上也有使用。

    MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，其有00,01,10,11四个充电至，因此要比SLC需要更多的访问时间。其最大特点就是速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命。如今大多数的消费机SSD都是使用的MLC。

    TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，每个单元可以存放比MLC多1/2的数据，共八个充电值，也有Flash厂家叫8LC，最大特点就是速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。，通常用在U盘或者存储卡这类移动存储设备上。