三星近日发布了新一代3nm闸 极全环工 艺。外界预计三星将于2021年量产 3nm GAA工艺。 根据 Tomshardware 网站报道， 三星晶圆代工业务市场副总 Ryan Sanghyun Lee表示，三星从2002年以 来一直在开发GAA技术，通过使用纳 米 片 设 备 制 造 出 了 MBCFET （Multi-Bridge-Channel FET，多桥- 通道场效应管），该技术可以显著增 强晶体管性能，从而实现3nm工艺的 制造。
如果将 3nm 工艺和新近量产 的 7nmFinFET 相比，芯片面积能 减 少 45％ 左 右 ， 同 时 减 少 耗 电 量 50％ ， 并 将 性 能 提 高 35％ 。 当天的活动中，三星电子将 3nm 工程设计套件发送给半导体设计 企业，并共享人工智能、5G 移 动通信、无人驾驶、物联网等创 新应用的核心半导体技术。
只要静电控制能力增加，闸极的长度 微缩就能持续进行，摩尔定律重新 获得延续。 此次，三星电子 3nm 制程将使 用 GAA 技术，并推出 MBCFET，目 的是确保 3nm 的实现。不过，三星 电子也表示，3nm 工艺闸极立体结 构的实现还需要 Pattern 显影、蒸 镀、蚀刻等一系列工程技术的革 新，并且为了减少寄生电容还要导 入替代铜的钴、钌等新材料，因此 还需要一段时间。
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