三星840 EVO SSD中的“EVO”全称是:Evolution，其含义是发展、进化的意思，恰如其分的反映它是由840系SSD的进化升级而来。另外“EVO”是一款跑车的品牌，也是速度的一种体现。

“主控、闪存、缓存、固件”自主方案

    那么三星如何实现进化升级？我们需要从三星的“主控、闪存、缓存、固件”四位一体的自主研发、生产谈起。

   ●三核心ARM Cortex-R4主控

三星S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片

    三星本身具备手机、平板ARM架构处理器的研发生产能力，MEX主控是在成熟的MDX方案基础上进一步提升频率。它内建三个ARM Cortex-R4核心，工作频率提升至400MHz。

   ●世界最小10nm级 高速闪存芯片

三星3bit MLC高速闪存（每die为128Gbit）

    三星840 EVO SSD采用世界最小10nm级 高速闪存芯片，每die晶圆芯片为128Gbit(折合为16GB），每颗黑色的成品闪存采用MCP多芯片封装。1TB版本的单颗成品闪存含有8个die晶圆芯片，总容量达到128GB。
 
    它基于Toggle DDR2.0闪存架构。与现有三星840系SSD相比，新款EVO SSD在连续写入性能方面提升了3倍之多。

   ●最高支持1GB独立缓存

三星1GB 独立缓存

    SSD的独立缓存用于存放映射表，越大容量的SSD就需要将映射表编得越大，对缓存的容量有更大的需求。最大容量为512GB的三星840系列SSD，拥有512MB独立缓存。而到了最大容量为1TB的840 EVO SSD，则拥有1GB独立缓存。

    ●针对840和EVO的不同固件支持

    MDX和MEX硬件参数上的不同，意味着840 EVO SSD需要升级的原有固件（Upgraded firmware）。同时它为了匹配10nm级闪存，设计最新的、更先进的信号处理算法（latest generation Advanced Signal Processing）。

    进化结果：

    三星840 EV0 SSD通过四位一体的全面进化，迸发出强悍性能，仅写入速度一项就提高1.6-3.1倍之多，随机读写能力也有不同程度提高。下面我们进入相关测试成绩对比分析：