■EVO的三大改进：主控/闪存/缓存

三星840 EVO 1TB SSD拆解

1、主控：频率提高和算法改进

三星S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片

　　主控方面采用三星研发生产的S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片，属于ARM架构的三核处理器，具备更强悍的多任务、多路数据读写传输能力。主要提高在算法设计和CPU的频率。和840系的300MHz MDX三核主控相比，840 EVO的MEX主控的频率提高到400MHz。

2、闪存：单颗芯片容量翻倍

三星840系250GB SSD的闪存芯片特写

　　 三星840 EVO SSD采用世界最小10nm级 高速闪存芯片，每die晶圆芯片为128Gbit(折合为16GB），每颗黑色的成品闪存采用MCP多芯片封装。1TB版本的单颗成品闪存含有8个die晶圆芯片，总容量达到128GB。

3、缓存：最大容量翻倍

840 EVO SSD的缓存多达1GB

    SSD的独立缓存用于存放映射表，越大容量的SSD就需要将映射表编得越大，对缓存的容量有更大的需求。最大容量为512GB的三星840系列SSD，拥有512MB独立缓存。而到了最大容量为1TB的840 EVO SSD，则拥有1GB独立缓存。 

    我们通过拆解三星840 EVO 1TB SSD，了解到该系列SSD从主控、闪存、缓存均由三星生产，并且三个核心部件的规格均有不小幅度甚至质变的提高。