热点:
    频道主编

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密

      [  中关村在线 原创  ]   作者:  |  责编:郑兆远
    收藏文章 分页阅读 暂无评论
    返回分页阅读本文导航
    产品:840EVO(1TB) 三星 固态硬盘

    1闪存全面更新 SSD性能打鸡血!

        进入2014年,刚刚上市的浦科特M6S、美光M550 SSD如同打鸡血,它们的性能暴增,给人耳目一新的感觉,这其中既有主控的功劳,更有闪存升级换代之后,赋予SSD更快的读写速度,更高的I/0接口吞吐量。

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密
    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密

        在此之前,2013年诞生的美光M500 SSD在性能上兵败如山倒。美光闪存被揪出是罪魁祸首,美光M500 SSD背上骂名而惨遭降价促销。直接的后果--美光闪存的市场占有率下滑,在2013年闪存芯片市场占有率排行榜,美光屈居第三。

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密
    全球闪存年产值约260亿美元

        在这份排行榜当中,有这样一个奇特的现象,闪存的市场占有率排名高低,和它们的性能排名重合。2014年,闪存芯片全面更新换代,SSD性能迎来井喷式发展阶段,今天我们将从闪存芯片揭开新一代SSD性能的秘密。

    2M6S横扫高端 东芝A19nm居功至伟

        东芝闪存的客户较为分散,拥有自主品牌的家用级别SSD,且在年初收购OCZ。不过真正让东芝闪存发扬光大的是浦科特,它是专业制造SSD出身,历经东芝34nm、24nm、19nm、A19nm四代闪存。今天我们介绍的是新锐浦科特M6S SSD,它将上代旗舰M5P淘汰出局。

    ●浦科特M6S 256GB固态硬盘
    零售价格:999元

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密
    浦科特M6S SSD拆解

        浦科特M6S SSD采用Marvell 88SS9188主控和东芝A19nm闪存。9188主控是9187主控的节能缩水版,M6S能达到M5P的性能,更多的是借助东芝A19nm闪存。

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密
    东芝A19nm闪存

        上一代东芝19nm和M6S所采用的A19nm闪存均采用Toggle DDR2.0架构。关于东芝A19nm闪存,目前尚无准确说法,它并非19nm闪存,而是东芝17-18nm的某款闪存。

    测试成绩
    测试子项目 浦科特M5S 256GB SSD(19nm) 浦科特M6S 256GB SSD(A19nm) 差距
    AS SSD Benchmark读写测试(单位:MB/秒)
    读取 491.81 494.4 +0.5%
    写入 382.18 435 +13.82%
    4K-64Trd读 278.95 365.68 +31%
    4K-64Trd写 232.07 300.91 +29.70%
    AS SSD Benchmark 随机读写测试(单位:IOPS)
    4K随机读取 8703 9244 +6.21%
    4K随机写入 23350 27568 +18%
    4K-64Trd读 71412 93613 +31.08%
    4K-64Trd写 59411 77033 +29.7%
    总计
    +20%

        编辑点评:作为应用于家用SSD、核心面积最小的东芝A19nm闪存,它在浦科特M6S SSD发挥的作用显著。M6S 256GB SSD的性能对比M5S 256GB提高20%,东芝A19nm闪存将M6S的性能提升至M5P水准。

        浦科特已采用东芝A19nm闪存搭载于主控性能更强的M6P,它将在今年6月份的台北电脑展推出。目前东芝已经量产更先进的15nm MLC闪存,我们可能在闪迪或者其他品牌的SSD上看到它的身影。

    3美光M550逆转翻盘 20nm一雪前耻

        美光M500 SSD的不堪回首,将美光20nm IMFT闪存推到风口浪尖,令人诟病的闪存性能甚至拖累其它品牌SSD。曾有SSD厂家技术人员交流:“曾几何时美光闪存是高性能的代言词,如今不是它便宜,我们甚至不愿意采用它。”

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密
    美光M550 SSD

        进入2014年,美光推出M550 SSD一雪前耻,强劲的性能令人刮目相看,它是怎么做到的?其实性能爆发的秘密就在闪存。

    ■揭开美光M550性能暴增的秘密:

        美光M550对比M500的最大进步当数写入性能的全面提升,这归功于两者在闪存配置上的差异,它是怎么做到的?

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密
    美光M550 SSD PCB电路板

        美光M500采用128Gb(16GB)Die闪存,因此M500 120GB版本只有8CE,240GB版本也只有16CE。Marvell 88SS9187/9189两款主控支持8个通道,每通道硬件支持4CE,因此只有闪存CE数量达到32时才能跑出最佳性能。说到这里,网友就不难理解美光120GB/240GB SSD为何性能不佳。

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密
    美光M550 20nm闪存

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密

        美光M550 128GB/256GB SSD采用64Gb(8GB)Die闪存,分别具有16CE和32CE,写入速度自然可以翻倍。不过美光M550的512GB/1TB版本仍采用128GB(16GB)Die闪存,写入速度提高不如128GB/256GB版本那般明显。

    测试成绩
    测试子项目 美光M500 240GB SSD(20nm/128Gb) 美光M550 256GB SSD(20nm/64Gb) 差距
    AS SSD Benchmark读写测试(单位:MB/秒)
    读取 503.14 524.41 +4.2%
    写入 270.09 481.83 +78.3%
    4K-64Trd读 319.29 385.25 +20.6%
    4K-64Trd写 236.73 326.74 +38%
    AS SSD Benchmark 随机读写测试(单位:IOPS)
    4K随机读取 6966 8335 +19.6%
    4K随机写入 30187 31651 +4.8%
    4K-64Trd读 81738 98624 +20.6%
    4K-64Trd写 60604 83645 +38%
    总计
    +28%

        编辑点评:美光M550对比M500的最大进步在于写入性能大幅提高,它的读取性能也有小幅提升。这里面还有诸如主控、缓存、算法设计的功劳,但是它们的作用没有闪存那么大。

        美光M550和浦科特M6S平分秋色,浦科特6月份发布的M6P显然是来者不善,后续还有三星的850PRO、850系列SSD。所幸美光16nm 128Gb(16GB)MLC/TLC闪存已经量产,美光新一代SSD拍马将至。

    4三星21nm一招鲜 840PRO霸气依旧

        三星闪存的市场占有率高居第一,早期和苹果是分不开的,大量的三星闪存应用于iPhone、iPad、iPod等等。随着三星和苹果的专利大战,双方虽互有胜负,但是苹果心有间隙,铁心去三星化。

        山重水复疑无路,柳暗花明又一村。随着三星S5、Note3手机、840 EVO系列固态硬盘、存储卡的快速成长,顺利填补真空。而在这些应用闪存的设备当中,19nm闪存对市场占有率居功至伟,但是最强悍的三星闪存芯片却是一位老将--21nm Toggle DDR2.0 闪存,它用于性能数一数二的840PRO SSD。 

    ●三星840PRO 512GB SSD
    零售价格:3350元

    破车变跑车 三星840Pro SSD重磅首测
    三星840PRO 512GB SSD拆解

         闪存制造工艺的进步,带来容量的提升,更低的制造成本,但是对于三星Toggle DDR2.0架构下的3bit MLC闪存来说,其性能并未优于21nm MLC闪存。因此老当益壮的三星840PRO SSD仍在服役。

    破车变跑车 三星840Pro SSD重磅首测
    三星840PRO 512GB SSD的闪存芯片特写

         840PRO用于取代上一代830系列SSD,21nm闪存和上一代27nm闪存相比,其闪存采用先进的Toggle 2.0 NAND Flash技术,它的带宽提高到400Mbps,而上一代830系SSD则采用Toggle 1.1技术,闪存带宽仅133Mbps。

    测试成绩
    测试子项目 三星830系列512GB SSD(27nm) 三星840PRO 512GB SSD(21nm) 差距
    AS SSD Benchmark读写测试(单位:MB/秒)
    读取 503.45 515.39 +2.3%
    写入 328.82 495.13 +50.57%
    4K-64Trd读 303.21 382.71 +26.21%
    4K-64Trd写 117.37 325.95 +177.71%
    AS SSD Benchmark 随机读写测试(单位:IOPS)
    4K随机读取 5519 8345 +5.12%
    4K随机写入 14935 15704 +5.1%
    4K-64Trd读 77621 97975 +20.77%
    4K-64Trd写 30032 83444 +177.85%
    总计
    +58.20%

        编辑点评:三星840PRO的性能对比三星830系列提升高达58.2%,这款产品与浦科特M5P、美光M500同代,当后两者逐渐淡出市场,21nm MLC闪存仍旧继写传奇,840PRO凭借数一数二的强悍性能等待挑战者。

       未雨绸缪,更先进工艺的三星MLC闪存整装待发,与之匹配的三星850PRO SSD预计将在今年9-10月份推出,它是否维系三星SSD的性能霸主地位?

    5最强SSD悬而未决 闪存敲定成败

        当影驰打出999元的512GB SSD旗号,其它SSD厂家闻之色变。高端型号性能名列前茅的SSD厂家却淡定无比。闪存决定SSD性能,同时闪存和SSD的价格、普及推广也有着藕断丝连的关系。

        闪存性能:东芝最强当仁不让

    SSD性能暴增 揭开2014年闪存芯片的秘密
    内有“乾坤”的金速F8 240GB SSD

        讨论闪存性能,东芝毫无悬念夺得第一,和东芝同属Toggle DDR2.0架构的三星21nm MLC闪存,其性能不输东芝A19nm闪存。IMFT架构的美光20nm在新一轮闪存竞赛中翻身,其性能仍逊于东芝A19nm闪存。

        然而美光20nm闪存的低价,却令SSD厂家欲罢不能,影驰战将、金速F8均采用美光20nm闪存Die。原来性能并不张扬的美光20nm闪存,才是真正的“平民皇帝”。

        SSD性能:最强者悬而未决

    三星 SSD 840 PRO Series SATA III(256GB) 标签特写
    840PRO雄踞SSD霸主地位近两年

         久未更新换代的840PRO给850PRO增添神秘色彩。笔者考虑到三星拥有架构优越的Toggle DDR2.0闪存,独家的三核主控,以及比其他闪存厂家更先进的制造工艺,新一代三星MLC闪存将决定三星850PRO的成败。

        写在最后:今年最强性能的SSD花落谁家,暂未有定数。比M6S性能更强的浦科特M6P SSD仍披着神秘面纱,收购OCZ的东芝也将推出重磅新品,后发制人的三星850PRO并未有十足胜算。

        闪存+主控+固件是实现SSD性能的三大法宝,其中闪存和主控所占比重最大。拿来主义的浦科特,其整合能力独步业界,固件团队的能力首屈一指,压制840PRO不成问题。拥有CPU级别主控和最强闪存性能的东芝SSD,将成为三星850PRO最具威胁的竞争对手。

    6产品参数对比

    三星840EVO和浦科特M6S有什么区别

    闪存制造工艺越先进,对主控的依赖更大,同时深刻影响SSD的性能。今年是SSD全面更新换代的一年,新款主控和闪存纷至沓来,本文讲叙闪存对于SSD性能的影响。

    郑兆远

    返回分页阅读本文导航
    不喜欢(0) 点个赞(0)

    推荐经销商

    投诉欺诈商家: 010-83417888-9185
    • 北京
    • 上海