3bit 3D V-NAND闪存长什么样？它和普通SSD所采用的2D闪存区别不大，但它的内部构造和普通2D平面闪存有着本质的不同。一块3bit 3D V-NAND闪存芯片由32个单元层垂直堆叠而成，它并没有减少单元层尺寸，而且由于采用了更小的碳足迹，此结构密度更高，性能更强。

    一款SSD的主控和闪存对性能起到决定性作用，下面我们拆解三星850 EVO 1TB SSD，对它的主控和闪存进行解析：

三星850 EVO 1TB SSD的PCB电路部分

▆主控：和840 EVO、850PRO一致

三星S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片

    三星850 EVO 1TB SSD采用840 EVO、850PRO的S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片，属于ARM架构的三核处理器，具备强悍的多任务、多路数据读写传输能力。

▆闪存：首款应用消费级SSD的3bit 3D V-NAND 

3bit 3D V-NAND闪存

    3bit MLC闪存率先应用在前两代的三星840系SSD，而在3bit 3D V-NAND闪存，三星再次走在其他厂家前面，首次应用于850 EVO SSD。和采用2bit 3D V-NAND的85OPRO 1TB SSD不同，850 EVO 1TB SSD采用的8颗3D闪存均为同规格容量；而850PRO 1TB SSD的正反两面的闪存编号和容量不一。

    这款率先采用3bit 3D V-NAND闪存的消费级SSD性能如何？下面我们将用850PRO 1TB、840PRO 512GB SSD、840 EVO 1TB SSD进行性能对比、分析：