随着TLC大规模的应用,SSD的价格逐渐走低,2016年势必成为SSD全面普及的元年,存储厂商三星针对SSD存储市场高中低端完成全面布局,SSD 850 EVO以其不错的性能和差异化竞争的价格成为中流砥柱。在性能、价格问题得到解决后,SSD面临的最后问题就是容量,继第一代V-NAND闪存后,三星又推出了新的SSD 850 EVO产品,部署第三代的V-NAND闪存,存储密度更高,只需四颗就实现了1TB容量。
新版三星SSD 850 EVO 1TB采用了新的MGX主控(老版本SSD 850 EVO除了1TB版本也都采用了MGX主控),编号为S4LN062X01-Y030,此前MEX主控的编号是S4LN045X01-Y030,内存缓存容量由之前的LPDDR2升级为LPDDR3,带宽更高,最大持续读写性能依然维持在540MB/s和520MB/s。
新版三星SSD 850 EVO 1TB内存颗粒编号为K4E8E16,为LPDDR3类型,单颗容量为8Gb,也就是1GB容量。
新版三星SSD 850 EVO 1TB SSD正反面闪存颗粒分布图
NAND闪存方面,得益于新的48层V-NAND(第二代V-NAND采用了32层垂直堆叠而成),存储密度显著提升,此前1TB版本需要8颗V-NAND,现在只需要4颗V-NAND就可以实现高达1TB容量。
颗粒编号为K4E8E16的内存颗粒,容量为1GB LPDDR3
颗粒编号为K90MGY8S7M的256GB V-NAND闪存颗粒
新版三星SSD 850 EVO 1TB的V-NAND的颗粒编号为K90MGY8S7M,单颗容量为256GB,共计4颗组成1TB容量,而此前的1TB版本则使用了8颗编号为K90KGY8S7C V-NAND。
为了最大限度发挥SSD的性能,测试使用最新的Intel Z170+Core i7-6700K硬件平台,测试SSD开启AHCI,测试SSD连接到Z170芯片组原生SATA 6Gbps接口。测试软件包括CrystalDiskMark、ATTO Disk Benchmark、AS SSD Benchmark和PCMark 8。
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