闪存选择：东芝原厂19nm颗粒

    在闪存颗粒选择上，则是选用了东芝原厂编号为TH58TEG9D2JBA89的闪存颗粒。据笔者了解，此款闪存是Toshiba的19nm Type A MLC颗粒，其内部有8个Die（芯片），8KB Page，1个Block为256个Page（2MB），2个Plane。其接口为DDR 2.0 （400MT/s），132BGA封装。

    当主控固件的ECC能力为24bit/1KB时候为1000 P/E，而当ECC能力提高到40bit/1KB时候则为3000 P/E，P/E用尽前掉电数据保存期为1年以上。

东芝TH58TEG9D2JBA89 19nm闪存颗粒

    此款19nm闪存颗粒，在工艺上虽然落后现在新近的16nm，但是在稳定性和兼容性上却是相当不错的。浦科特、影驰等诸多厂家都曾使用过此款东芝TH58TEG9D2JBA89闪存颗粒。