美光或将退出NOR Flash 专注NAND市场

    近期，传美光将退出NOR Flash，拟处理旗下NOR芯片事业，并传出华邦电和兆易创新可能为市场买家。美光内部证实确有此规划，但并未透露相关细节。华邦电总经理詹东义则表示并未听说，但会慎重进一步研究。

    随着数据存储需求的不断增加，2016年DRAM和NAND Flash市场供应紧缺，NAND Flash价格涨幅更是近一倍。相比之下，NOR Flash市场需求和价格显得比较落寞，美光调整业务结构也是为了集中精力于DRAM和NAND Flash市场。

    2017年初NAND Flash和DRAM市场供货吃紧未见明显改善，而且NAND Flash技术正在加快向3D NAND过渡，DRAM制程也要向10nm级切换，对技术、量产等的要求增加。美光作为第三大DRAM生产商，也是主要的NAND Flash供应商，2017年在保证DRAM和3D NAND切换顺利的同时，还将以提升生产效率为目标。

    美光(Micron)合并华亚科后，台湾成为美光的DRAM重要生产基地，内部设定是以三星为目标。美光执行长去年底称要加码台湾投资，目前台湾美光员工约6,000人，将再网罗1,000人加入台湾美光，加快DRAM先进制程技术的发展。

    据悉，美光台中厂和美光桃园厂目前分别生产25nm和20nm制程技术，台中厂会率先导入美光最先进的1xnm制程，目前已经在进行制程转换，2016年、2017年预计投入20亿美元，直接由25nm转进1xnm制程，预计下半年1xnm投片量可过半。

    NAND Flash方面，美光的32层3D NAND为目前国内市场各品牌SSD的主要货源之一，64层3D NAND已于2016年12月送样，2017年将逐步进入量产阶段。新加坡IMFS Fab10N工厂在2016年初逐步增加32层3D NAND，减少16nm MLC比例，2017年逐步转向64层3D NAND生产。新加坡IMFS Fab10X预计在2017年Q1开始试产，主要生产64层3D NAND，大连Fab68也预计2017年中期转至64层量产。