终于弄清楚了！存储产品疯狂涨价的原因

　　大约是从去年年中开始，以固态硬盘为代表的，包括固态硬盘、内存条、优盘甚至闪存卡在内的几乎全部闪存产品，开始缓慢涨价。一开始的涨价幅度并不是特别大，许多人并没有在意，也没有太多人去解读。

　　但是随着时间的推移，到了2016年第三第四季度，涨价的幅度逐渐增大，大幅超过许多人的心理预期价位时，有人开始质疑了：闪存产品为什么涨价如此厉害？

　　然而，存储产品的涨价风波并没有就此停下脚步，进入2017年。无论是闪存大户固态硬盘，还是内存条闪存卡等产品线，依旧在涨价的路上越走越远。

金士顿V300近一年来价格走势图

三星750EVO近一年来价格走势图

　　那么，此轮存储产品线的涨价风波到底缘何而起？此轮涨价风波到底何时方能风平浪静？下面，且听笔者胡诌一番，如有不妥之处，权当笑尔。

    涨价风波缘起之一：技术冒进，量产不足

　　近年来，随着固态硬盘的普及，主流的存储产品，几乎都开始以闪存作为主要的存储介质，可能唯一的区别在于是易失性还是非易失性。

　　在过去的一年，随着固态硬盘加入主流存储产品序列，各大闪存原厂开始扩大园区，加速产能，以期推出更多的原厂闪存以供给下游新生的固态硬盘存储厂商对于闪存原料的需求。然而，无论是扩大园区还是加速产能，几乎都无法满足，在去年开始爆发性增长的对于闪存原料的需求，以及随着固态硬盘走向平民化带来的利润率下降问题。

　　各大闪存原厂开始从闪存技术方面进行革新，先是大量采用TLC替代MLC闪存颗粒，提高量产的同时还能提高利润率，然而这一招并不能从根基上解决产能不足问题。于是，全行业开始从2D NAND制程转向3D NAND制程，力图从提高单位闪存颗粒的最高容量上着手，间接提高整体闪存的出货量，以满足整个市场对于闪存原料的需求。

SLC/MLC/TLC三种层叠示意图

　　在这里简单介绍2D NAND和3D NAND之间的区别和联系。2D NAND就如同在一块有限的平面上建立的数间平房，这些平房整齐排列。但是随着需求量的不断增加，平房的数量不断井喷，可最终这块面积有限的平面只能容纳一定数量的平房而无法继续增加

　　3D NAND则就如同在同一块平面上盖起的楼房，在同样的平面中，楼房的容积率却远远高于平房。因而它能提供更多的空间，也就是提供了更大的存储空间，而32层、48层以及64层，则就是这些楼房的高度，一共堆叠了多少层。

2D NAND是平房；3D NAND是楼房（图片来自互联网）

　　从结果而言，采用这一技术的确是能够快速有效的解决闪存量产不足的问题。然而，众多原厂却忽视了技术瓶颈，对于3D NAND技术下闪存切割的良品率过于乐观，致使在2D NAND转至3D NAND的过程中，远远达不到预期产量，进一步加剧了闪存供应不足的现实局面，更何况在2D转3D技术的过程中，所有的机械、人工、厂房的投入，不可能因为技术瓶颈而放弃研发，重新转回2D,更加剧了2D NAND的减产，引发全行业的闪存缺货。

　　供不应求，则必然导致的结果是存储厂商采购成本的提高，从而引发终端产品的价格一路飞涨。

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