TLC即Triple-Level Cell的缩写,是2bit/cell的MLC闪存延伸,TLC达到3bit/cell,TLC利用不同电位的电荷,一个浮动栅存储3个bit的信息,存储密度理论上较之MLC闪存扩大了0.5倍。
由于TLC的电压变化频率是三种类型闪存中最高,因此TLC闪存的使用寿命也是最低,只有MLC闪存的1/20,第一代TLC闪存仅仅具有500-1000次可重复擦写次数的使用寿命。同时它的读写速度也是最慢,由于一个浮动栅存储3个单元,比之MLC需要更长的时间。
目前TLC被广泛应用到优盘方面
随着闪存制造工艺的提升,TLC的成本更低,达到消费级领域的3年使用寿命甚至更长,同时读写速度也有较大改善。目前已经开始广泛应用在闪存卡、优盘领域,今年相关厂商打算主推TLC闪存的固态硬盘。
我们不难想象TLC闪存也如当年MLC闪存一样,在攻克使用寿命的难关后,走上主流舞台。不过主流的主控芯片厂商仍持怀疑态度,目前仅仅只有Indilinx发展出有效支持TLC闪存的主控,并且已经进化到第二代,有效提高TLC闪存固态硬盘的性能,延长TLC的使用寿命。
TLC闪存的特点:
1、理论上的存储密度最高
2、制造成本最低,其价格较之MLC闪存最大降低50%
3、制造工艺仅次于MLC,高于SLC
4、使命寿命最低,目前已可以达到3-4年
5、理论上的读写速度最慢,随着制造工艺的提升、主控算法有大幅提升
目前在国际闪存市场上,1GB TLC闪存的均跌至1美元附近,并且TLC闪存可以做到单芯片的容量达到128GB。这种情况来看,只要Indilinx的新主控可以让TLC闪存固态硬盘的寿命保持在可接受范围内,预计固态硬盘的价格降低最多5成,加速普及固态硬盘。
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