第一款SATA3.0固态硬盘 镁光C300诞生到现在已有2年时间，MLC的闪存工艺从34nm到目前最先进的19nm。闪存类型也发展到SLC、MLC、TLC三种规格。不过固态硬盘的读写速度提升却相当有限，甚至逼近瓶颈。顶级SATA3.0固态硬盘的最大速度均未突破600MB/s。

通过磁盘阵列提高性能的PCI-E接口的固态硬盘

    而提升固态硬盘性能的有效办法，就是在PCI-E接口上，采用类似显卡的PCB板上，用2颗或者4颗的主控芯片，组成磁盘阵列模式，提高读写速度，不过成本也是相当高昂，显然并不适合家用。

    另外一则新闻也证明了这一观点：加州大学和微软的研究发现，随着芯片尺寸缩小，NAND Flash记忆体会出现显著的性能退化。当电路尺寸从今天的25nm缩小到6.5nm，SSD的延迟会增加一倍。

    加州大学的研究生Laura Grupp说，他们测试了7家SSD供应商的45种不同类型NAND Flash芯片，这些芯片采用了72nm到25nm的光刻工艺，发现芯片尺寸缩小伴随着性能退化和错误率增加。TLC (三层存储单元)NAND的性能最差，之后是MLC（双层存储单元）NAND和SLC(单层存储单元)NAND。研究人员说，由于性能退化，基于MLC NAND的固态硬盘难以超过4TB，基于TLC NAND的固态硬盘难以突破16TB，因此固态硬盘的未来之路可能在2024年到头。

    由于固态硬盘的主要客户是终端消费者，价格当然是越便宜越好，目前机械硬盘厂家纷纷将质保调低至2年，如果价格低廉的TLC闪存如果能把使用寿命提高到4年或以上，闪存芯片厂商转进TLC芯片比重会提高。至于性能上，目前看MLC闪存的SATA3.0固态硬盘前进乏力，等于给了TLC的机会，短期内TLC固态硬盘的性能达到SATAII标准，随着工艺进步，TLC闪存的性能将和目前MLC闪存的SATA3.0固态硬盘接近，具体仍要看支持TLC闪存的主控算法设计，对TLC闪存固态硬盘的性能影响最大。

    短时间内，消费级固态硬盘仍以MLC为主，MLC随着制造工艺的进步，寿命进一步延长，侵占SLC的部分市场份额。SLC将继续在企业级、服务器市场领域存活；TLC将成为日后的主流。