SSD采用闪存颗粒作为存储介质，SSD提高容量等同于提高闪存颗粒的容量。作为半导体的闪存芯片，本质上是受到摩尔定律的决定性影响，它需要通过提高晶体管数量来扩大容量。我们从目前的技术条件下，总结出三个办法来提高闪存颗粒的容量。首先我们来看“闪存芯片”和“闪存颗粒”的名词解析。 

名词解析：

    闪存芯片：闪存芯片是从晶圆切割的规则方形晶片，其厚度需要用纳米衡量。它类似大家看到的光碟片，当我们在阳光照射下，呈现五颜六色。

    闪存颗粒：闪存颗粒是由多层闪存芯片构成的方形体。它类似于我们常见的内存颗粒芯片，其厚度大约为1-2毫米。

图中SSD共计8颗64GB 8bit位宽的闪存颗粒，其面积较大

如何提高闪存芯片的容量

    1、提高闪存芯片的制造工艺

    闪存芯片从SSD诞生之初的50nm制造工艺推进到19nm。在闪存芯片的同等面积之下，制造工艺的有效提高，单颗闪存芯片的容量提高。

    不过闪存工艺的制造工艺越先进，SSD厂家越难挖掘SSD的性能。

    2、改变闪存芯片的内部架构

    闪存芯片根据内部架构分为SLC、MLC、TLC三种结构。SLC是单层单元模式，一个晶体管可容纳1比特数据，而MLC是多层单元模式，一个晶体管可以容纳2比特数据，那么在同样的价格下，MLC可以有两倍容量的效果。而TLC的一个晶体管可容纳3比特数据，同理在同样的价格下，TLC可以达到三倍容量的效果。

采用8层堆叠方式的KINGMAX KM21 1TB固态硬盘 

    3、改变闪存芯片的封装方式

    我们看到黑乎乎的闪存颗粒成品，实际是有多层闪存芯片封装而成，它有一个专业术语叫：“堆叠技术”。目前主流的闪存芯片普遍采用1-4层堆叠技术，而拥有封测工厂的SSD厂家，可以做到8层堆叠技术，即8个闪存芯片封装到一个颗粒上，也就是8个Die。

    不过闪存颗粒的堆叠的层数越高，性能衰减越厉害。

要容量没性能

    细心的网友是否发现，无论闪存采用方案1或2，SSD的512GB容量几乎止步不前，君不见首款采用TLC闪存的家用SSD，它的最大容量仍为512GB（实际容量500GB，另有12GB闪存容量作为冗余模块）

    闪存厂家采用方案1或2，他们制造的最大容量闪存芯片面临良品率低、成本过高。因此闪存厂家更乐意用先进的工艺来减少堆叠的层数，方便提高良品率和性能、控制成本。

    而真正对SSD最大容量起到主推作用的是“方案3”，这种方案可以在保持良品率和成本不变的情况下提高容量，但是这种方案最大弊病是牺牲SSD性能。这是为何1TB SSD在市场中不待见的主要原因。

    最终我们看到SSD厂家的折中方案：在主控的8条通道限制、SSD性能最大化的情况下，厂家选用8颗最大容量为64GB的8bit位宽的闪存颗粒，组成容量最多512GB的家用SSD。

    下面我们进入五款顶级512GB SSD的简单介绍，见证它们的强悍性能：