了解完品牌的分布,我们最后来看看这个敏感问题:固态硬盘寿命分析。好吧,到了这个非常愤青的问题上了,为何要提出这个方面,主要还是前一段时间人们对于TLC颗粒的争论和两种极端的看法,而TLC对于产品以为着什么,我们可以做一下简要的分析。
TLC意味着?
对,的确可以说TLC最大的争议就是通过减少读写磨擦来削减使用寿命,TLC是三层单元,而目前在消费领域广泛使用的SLC、MLC三者在物理上很相似,都有类似的晶体管组成,唯一的区别就是每个单元存储的数据比特(位)不一样,其中SLC只有一个,MLC是两个,TLC则是三个。
TLC与其他两类闪存颗粒的对比
可以举一个更为简单的例子,同样是16GB(172亿个晶体管)的原始NAND阵列,SLC闪存等量得到16GB容量,ML可以达到到32GB,TLC则可达48GB。像是一桶酸梅茶,本来是一桶,现在要稀释成三桶,问题就出来了。
TLC成本论
首先的问题就是换算,我们都知道固态硬盘的容量递增是2倍,例如64GB-128GB-512GB,而TLC却三倍,128GB的TLC固态硬盘实际容量是137.4GB,需要用更多的容量来做冗余。同样容量的TLC闪存要比MLC闪存小一些,每块晶圆的切割数量就更多了,成本也自然就下来了,根据市场闪存报价,每GB SLC的价格为3美元,MLC能降到0.9美元,TLC就只需0.6美元。
SLC NAND Flash | MLC NAND Flash | TLC NAND Flash | |
制造成本 | 30-35美元/32GB | 17美元/32GB | 9-12美元/32GB |
擦写次数 | 10万次或更高 | 1万次或更高 | 5000次甚至更高 |
存储单元 | 1bit/cell | 2bit/cell | 3bit/cell |
TLC寿命论
目前TLC的P/E仅为1000,是MLC的三分之一,SLC的百分之一,这样的原因可能要追究到半导体晶体管的化学原理上,我们也不做过多说明,总之每一次的P/E值消耗都会导致闪存内部硅氧化物的损耗,TLC的工艺更低,自然耐用性就更差。
TLC其他猜想
关于TLC的掉速猜想目前还无法证实,但的确由于成本问题受到电压影响,后期的性能削减可能会更快。另外闪存的磨损会带来更多的错误校验,越到后期,由于性能的削减,纠正错误的负担越大,导致整个闪存颗粒变为废块。
三星SSD 840PRO VS 840 VS 830 | |||
三星830系SSD (256,512GB) | 三星840系SSD (500GB) | 三星840PRO系SSD (256,512GB) | |
主控芯片 | Samsung MCX | Samsung MDX | Samsung MDX |
闪存芯片 | 27nm/MLC | 21nm/TLC | 21nm/MLC |
持续读取 | 520MB/s | 540MB/s | 540MB/s |
持续写入 | 400MB/s | 330MB/s | 450MB/s |
随机读取 | 80K IOPS | 98K IOPS | 100K IOPS |
随机写入 | 36K IOPS | 70K IOPS | 78K IOPS |
三星是第一家尝试使用TLC闪存颗粒的厂商,而此也属于试水做法,同期发布的三星840和840 PRO,前者使用TLC在一些方面一定是想看看市场给予的反响,总之价格低,寿命更短,如果性能不错的前提下,相信仍然会有消费者愿意接受,寿命这种广义下的争论,也只能左右一小部分担心过多的用户。
小结:这就是TLC,这些弊端笔者进行了归纳,TLC产品的出现就是为了满足希望用更低预算来获得SSD效能的人,更加适合家庭用户,便携电脑以及愿意上市更大容量的用户群,利弊都很明显。
2013年,会有更多的厂商开始选择TLC做为闪存推广产品,我们需要等待的就是TLC价格的进一步润滑。
推荐经销商