新技术 高性能缓冲“TurboWrite”

    当然，除了主控性能提升以外，还有一个840 EVO较840最大区别之处就是加入了TurboWrite技术，讲的通俗一些就是高性能缓冲技术，可以再固态硬盘比较空闲的时候将其中的数据传给硬盘。

    简单的理解，实际上就是用MLC来模拟SLC的工作方式，以3bit MLC举例来说，由于有8个状态，而SLC只有两个，那么如果将3bit MLC也标记为两个状态，即000~011均认为是0，而100~111均认为是1，也就是说只判断最高位的状态，那么控制起来就更加简单了，同时速度也会大幅度提高，耐久度也有保证。

    不过8个状态标记为2个状态，TurboWrite模式所带来的问题就是实际使用的空间只有原来的1/3。三星为840 EVO的各个版本分别分配了3GB、3GB、6GB、9GB和12GB的TurboWrite缓存空间，实际上它们是9GB、9GB、18GB、27GB和36GB。

各容量SSD实际缓存容量

　　SLC、MLC、TLC分别是单层、双层和三层闪存单元，TLC的写入是最耗时的，所以三星就加了这么个缓冲，本质还是TLC，但工作在SLC模式下。这就相当于把TLC当作SLC来用，性能自然可以大大提高，但仅仅是外部与缓冲器之间而已，缓冲器与硬盘之间依旧是老样子。

　　TurboWrite缓冲器的容量依型号而不同，比如1TB里划分出来了36GB，但是按照TLC、SLC的对应关系，实际能缓冲的数据量最多为12GB。

性能测试TurboWrite

　　从理论上讲，如果缓冲区写满了，继续写入的话性能就会跌到普通水平，等到缓冲区再度空闲性能又可以再次得到提升。上图测试就是说TurboWrite缓存空间用满之后，就必须等待其中的数据写入到非缓存空间，此时写入性能会低至和上一代840差不多的水平。比如使用CrystalDiskMark软件将测试样本设定为4000MB，5次测试下来的平均速度从520MB/s降低到了400MB/s。

全文总结：

    三星840 EVO SSD拥有①顶尖的SAT3.0 SSD性能、②超大容量、③更低的生产成本、④四位一体的研发生产等四大优势。其核心是领先一代制造工艺的10nm级别 3bit MLC闪存，它拉开东芝/闪迪、美光/英特尔的闪存制造工艺差距，同时让更多没有掌握闪存生产的SSD厂家倍感压力。

三星840EVO的推出，依靠先进的闪存、更高频率的三核主控、TurboWrite技术来提高整体性能。