说起三星S4、Note3手机，网友们如数家珍。殊路同归，这些手机的处理器和SSD主控一脉相承。四核、八核处理器在手机方兴未艾，三星将多核技术应用在SSD主控，历经27nm、21nm、19nm三个阶段，将SSD做得风生水起，夺下市场占有率第一的宝座。

    新一代840 EVO SSD如何做到比上代840系SSD更强的性能，并且价格更为喜人。今天我们将为大家解析它成功的最重要原因－－MEX三核主控：

“主控、闪存、缓存、固件”自主方案

    主控的升级换代，取决于闪存的制造工艺更新。上一代三星SSD采用21nm闪存，新一代则采用10nm级闪存。闪存颗粒的制造工艺更新，背后牺牲的却是性能。MEX主控如何匹配新闪存，提升SSD性能成了大难题。

    ■三核心ARM Cortex-R4主控

三星S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片

    为了弥补闪存在制造工艺提高，同时带来的性能下降，三星在成熟的MDX主控方案进一步改良，制造MEX主控。它内建三个ARM Cortex-R4核心，其工作频率从上代主控的300MHz提升至400MHz。

    ■针对840和EVO的不同固件支持

    MDX和MEX硬件参数上的不同，意味着840 EVO SSD需要升级的原有固件（Upgraded firmware）。同时它为了匹配10nm级闪存，设计最新的、更先进的信号处理算法（latest generation Advanced Signal Processing）。

     三星MEX主控特性：

    1、改善10nm级闪存的性能衰退特性，增强性能；

    2、缓存从上代的512MB提高到1GB，增强稳定/可靠性；

    3、优化算法，支持独特的TurboWrite缓存技术。

三星840 EVO SSD性能示意图

    点评：上代采用21nm闪存的840系SSD退出历史舞台，新一代840 EVO SSD暂露头脚。10nm级闪存给840 EVO SSD带来更实惠的价格，MEX主控力挽狂澜，焕发840 EVO SSD的强悍性能。