■解析840 EVO mSATA SSD五大改进
三星840 EVO mSATA 1TB SSD采用单颗256GB Toggle DDR2.0 3bit MLC 10nm级闪存,其单颗容量是2.5英寸840 EVO 1TB SSD的两倍。
10nm级闪存对比前代21nm闪存,更先进的制造工艺,促进闪存容量提升,背后牺牲的却是性能。那么三星是如何匹配新闪存,提升SSD性能,它采取五大措施:
1、主控频率提高
三星840 EVO mSATA 1TB SSD
2、改进优化算法
随着闪存制程从20nm级提升至10nm级,其读取数据的出错率进一步增加。三星设计更先进的信号处理算法,针对读取电压进行额外修正,降低出错率,提高耐久度。
3、高达1GB独立缓存
三星840 EVO mSATA SSD拥有更大的容量,这就需要编写更大规模的映射表,为此三星将独立缓存扩大容量至1GB,其闪存/缓存容量比例达到1GB:1MB。
4、闪存:设置OP冗余缓存
预留空间(OP)冗余缓存,可以优化SSD性能并延长SSD的使用寿命。而SSD主控需要少量的磁盘空间。
5、TurboWrite高性能缓存技术
TurboWrite技术讲的通俗一些就是高性能缓冲技术,它可以在固态硬盘比较空闲的时候将其中的数据传给硬盘,飞跃式提升SSD的写入速度。
各容量840 EVO mSATA SSD的实际缓存容量
Samsung SSD 840 EVO mSATA TurboWrite Buffer Size vs.Capacity
120GB
250GB
500GB
1TB
TurboWrite Buffer Size
3Gb
3GB
6GB
12GB
TurboWrite缓冲器的容量依型号而不同,比如1TB里划分出来了36GB,但是按照“3bit MLC”和“1bit SLC”的对应关系,实际能缓冲的数据量最多为12GB(3:1比例)。
编辑点评:上叙五大改进中,其中“主控频率提升”、“独立缓存扩容”属于硬件层面,主控算法、OP冗余缓存设置属于固件层面,TurboWrite技术则属于固件和硬件相结合。
这些设计可以使得用户无需安装任何驱动程序,只要开启电脑就可以自动获得三星840 EVO mSATA SSD的高性能。下面我们将使用三星1TB笔记本硬盘、三星840 EVO、三星 840 EVO mSATA 1TB SSD进行性能对比。
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