3D闪存新起点 三星850PRO 1TB SSD首测

    M.2 PCIe SSD伴随着Z97主板横空出世，SATA3.0 SSD是否会淘汰？三星给出坚定的答案，不会！为此它们推出本年度的重磅新品－－850PRO SSD，它首次应用基于“32层3D V-NAND技术”制造的闪存；对比84OPRO，三星升级850PRO的主控制器，并且它支持的最大容量翻倍，达到TB级别。今天我们将为大家全面解析这款新锐以及它的性能。

    三星850PRO和三星840PRO的最大不同当数闪存和主控，它的主控早已应用在840EVO，应该说算不上新奇。而它的闪存则是最大亮点，代表整个闪存产业的最高技术水平。

三星850PRO 1TB SSD（正面）

    3D堆叠芯片技术最早应用于英特尔处理器，后者得以容纳更多的晶体管，同时提高处理器的性能。此前闪存芯片采用2D平面型NAND技术，临近存储单元的堆放密度极限，如何在同等面积下容纳更多的存储单元？殊路同归，三星在闪存制造应用3D技术，它就是“3D V-NAND”。

三星850PRO 1TB SSD(背面）

    三星3D V-NAND技术采用不同于传统NAND闪存的排列方式，通过改进型的Charge Trap Flash 技术，在一个3D的空间内垂直互连各个层面的存储单元，使得在同样的平面内获得更多的存储空间。去年，三星为数据中心批量生产的24层3D V-NAND闪存应用于845DC PRO SSD。

    今年，三星升级3D V-NAND技术改为32层柱状细胞结构，可以垂直堆叠更多个“细胞层”－－存储单元，从而提高密度，降低碳足迹，可提供两倍于传统20nm平面NAND闪存的密度和写入速度。此外，第二代32层3D V-NAND闪存的使用寿命较之SLC闪存更长，三星给予850PRO SSD长达十年的质保。