三星850PRO延续840EVO的不少特点，比如1.8英寸板型设计、主控和缓存等等，两者最大的区别是闪存和配套的算法设计。 

三星850PRO 1TB SSD

S4LN045X01-8030（MEX）主控制器

    主控方面采用三星研发生产的S4LN045X01-8030（MEX）主控制器，属于ARM架构的三核处理器，具备更强悍的多任务、多路数据读写传输能力。主要提高在算法设计和CPU的频率。和840PRO的300MHz MDX三核主控相比，850PRO的MEX主控的频率提高到400MHz。

三星1GB LPDDR2高速缓存

    SSD的独立缓存用于存放映射表，越大容量的SSD就需要将映射表编得越大，对缓存的容量有更大的需求。最大容量为512GB的三星840PRO，拥有512MB独立缓存。而到了最大容量为1TB的850PRO，则拥有1GB LPDDR2独立缓存。 

 左为单颗容量85.33的RG闪存；右为单颗容量170.67GB的SG闪存 

    作为消费领域的旗舰级产品，三星850PRO使用P/E寿命更高的2bit MLC闪存，同时它的正反两面的闪存编号和容量不一。这是因为第二代3D V-NAND闪存的单die容量为85.33Gb，所以在搭配上，为了实现常见的128GB、256GB等，只能采用这种不对等的搭配方式。

    而本次1TB版本拥有4颗170.67GB闪存和4颗85.33GB闪存，共计96个85.33Gb的die。