在闪存颗粒的区分上相对会容易些，可以按照制程和架构来区分。以美光和英特尔为代表的ONFI3.0同步颗粒制程普遍是20nm，也有新品是16nm或是老一些的25nm（基本绝种）。另外就是东芝、闪迪和三星阵营的Toggle2.0异步颗粒，目前的工艺达到了19nm制程，上一代24nm已经消声遗迹。

美光20nm ONFI MLC闪存

    来自美光的“3VA2D NW542”20nm MLC NAND，ONFI3.0同步闪存，标称寿命3000P/E。FBGA封装已经成了美光原厂颗粒的标准封装方式，看上去比TSOP要整洁不少。

东芝原厂TH58TEG7DDKBA4C 16GB MLC闪存

     东芝A19nm Toggle MLC颗粒，是Toggle阵营中的新宠，性能上强于ONFI同步颗粒是公认的实事，但也要看看是谁家的货搭配了什么样的主控。

    
三星3D V-NAND颗粒

    主流之外的高端，三星今年夏天推出的新品中首次采用了3D V-NAND颗粒，简单的说就是3D闪存。内部构造也顾名思义，就像同样大的一片土地，盖平房能住10人，盖楼房能住100人一个意思，容量上的突破就靠它了！它还具有一个匪夷所思的单颗容量。

    除了闪存颗粒和主控，还有缓存没有介绍，缓存在SSD中起着不容小觑的作用。但没有哪个用户购买SSD的时候看缓存的品牌和大小，只关心有或者没有。而这个问题很好回答，绝大部分主流SSD都是配置了外置缓存。