在拿到三星还未正式发布的新款850 SSD之后，我们实在无法抗拒诱惑进行了首轮试用。三星最新的64层3D V-NAND技术在之前已经在三星移动固态硬盘T5上有所体现，但在这款专门针对桌面PC打造的驱动器—850 SSD还是在零售市场上首次亮相。三星声称其64层TLC V-NAND比前几代速度更快、更可靠，因此该公司正在全面调整其其产品组合，以将其最新的闪存推向市场。
三星新推出的64层V-NAND在垂直结构中每个单元存储三个数位，通常被称为3D TLC NAND。每个256Gbit芯片大约有853亿个单元。该新款芯片与三星上一代48层NAND具有相同的256Gbit容量，但芯片体积更小，这意味着它可以将更多的数据打包到更小的空间中，从而有效的降低成本。
三星在底层也做了一些性能上的调整。新芯片具有1Gb / s的数据传输速率，比上一代产品提高了25％。该公司还将页编程时间（即编程NAND单元所花费的时间）缩短到500微秒。这样使产品速度比其48层V-NAND快1.5倍，并且产品的可靠性也提高了20％。
新款120GB 850并不是850 Pro或850 EVO产品线的替代产品。在我们看到三星新款850（非EVO /非Pro） SSD的照片不到24小时后，三星在中国发布了这款固态硬盘。
这款850 SSD是三星750 EVO（三星专门为系统集成商和OEM市场设计的产品）的更新换代产品。750 EVO可提供与新850相似的性能，但其采用的是较旧的平面二维（2D）NAND。现在750仍然在广泛使用，但是其价格通常与流行的850 EVO差不多（如果不是更贵的话）。和850一样，三星 750 EVO也是以120GB容量产品在中国首发。三星后来又推出了250GB和500GB 750 EVO，并在全球发售。如果三星将850推广到全球市场，可能会看到更高容量的850产品。
三星850还可以取代我们大多数人从未听说过的真正入门级的650 SSD。具有32层V-NAND（3D）的三星 650 在新蛋网已脱销几个月了。三星的澳大利亚网站也将其列为“停产”状态。
该公司已经发布了其OEM型号的几个新版本，如具有64层V-NAND的PM871b。这些驱动器经常在戴尔、联想和其他OEM品牌的基础系统中销售。消费者通常不会选择这些系统中的组件，因此这些OEM型号通常不大引人注目。
目前，三星并没有发表官方声明，但在2018年初三星将对新型零售固态硬盘的推出时间有一个具体的规划。但它应该在2018年初给我们一个确切的说明。这就是我们什么时候能期望它推出新的零售固态硬盘。
三星的网站只列出了120GB的型号，而我们的经销商也只能获得这个容量。根据三星中文网站上的规格，新款850采用850 EVO系列的MGX控制器，但我们认为可能会有固件升级。新款850和850 EVO都具有相同的540/520 MB/s顺序读取/写入规格。与EVO的94,000 IOPS相比，850的随机读取性能略低，仅有70,000 IOPS。两款型号都拥有相同的“高达”88000随机写入IOPS评级。
两年前我们放弃了测试128GB级别的SSD。我们预计512GB将成为具有新型高密度64层3D NAND的固态硬盘的最低容量，但闪存短缺阻碍了这一进程并导致价格暴涨。不过，这并不是我们放弃该类SSD测试的唯一原因。我们测试过的产品的性能一直很低。同时，应用程序的容量在迅猛增长。相当数量的现代PC游戏消耗的容量高达100GB，所以我们不得不在一个合理的可用存储容量范围内画出一条底线。
