顺序读取性能
如需更深入地了解我们的存储测试过程，请参阅“我们如何测试HDD和SSD”。我们在“我们如何测试”指南的第六页中介绍了四角基准测试过程。
更快的NAND可以填补由于大容量NAND芯片降低的并行性而留下的空白。当我们提高了队列深度时，顺序读取性能折线图显示了一致的性能。在QD2性能上新款850 处于850 EVO和750 EVO 120GB驱动器之间。
顺序写入性能
我们测试中的所有产品都使用每单元3bit（TLC）闪存。由于对SLC缓存依赖性，TLC NAND与低并行性的结合带来了很多变化。在使SLC缓存达到饱和之后，我们还要处理固有的低TLC速度。三星的V-NAND SSD历来都不会因为这些问题而造成严重的性能损失，但是120GB的SSD型号却能够抵消较大容量硬盘带来的影响。
850的120GB此项性能不理想，是因为它与其大容量系列产品相比SLC缓冲区比较小。将128KB的连续数据写入SLC编程的缓冲区（容量大约3GB），吞吐量为475MB / s。一旦我们使这个较小的缓冲区饱和，流量会落到本地TLC NAND中，速度就会迅速下降到刚刚超过160 MB / s。增加队列深度不会提高性能，只会增加延迟。
随机读取性能
三星仍然成功地使850的QD1随机读取性能超过10,000 IOPS，并且随着我们增加工作量而很好地进行了扩展。其他公司的产品都无法通过128GB级SATA SSD达到10,000 IOPS的范围，并且大多数公司甚至都很难用较新的128GB级NVMe驱动器取得如此高的成绩。这使得我们很难匹配一个能与其竞争的128GB级SSD。
随机写入性能
三星的SLC缓存也提供了较高的随机写入性能。这三款三星TLC 120GB硬盘的得分远高于竞争产品。850和850 EVO在低队列深度上的性能几乎相同。
80% 混合顺序工作负载
我们将在这里详细描述我们的混合工作负载测试，并在此描述我们的稳态测试。
三星的SATA固态硬盘在每年的销售市场中都占据着主导地位。即使是小容量硬盘，这些硬盘也可以在它参与的竞争中脱颖而出。
80% 混合随机工作负载
在测试结果最重要的部分，850可以轻松地取代850 EVO。850的低QD性能相当于老化但仍然占主导地位的850 EVO。对于我们大多数人来说，4KB混合随机工作负载测试展示了SSD产品所带来的所有用户体验，这个强大的性能应该延续到应用程序，我们将在稍后的实验中进行测试。
顺序稳态
这些低成本产品不是为重写入环境下的工作站使用而设计的。我们确实能看到，三星的TLC V-NAND SSD大大优于竞争产品。
随机稳态
采用新型64层V-NAND的850，其稳定性与三星的TLC相比差一些，但它确实可以提供相同的平均性能和更高的脉冲性能。我们可以将这种更高的脉冲性能归因于芯片增加的数据传输速度。
