
三星去年刚量产64层堆叠第四代V-NAND,而最新的第五代堆叠层数增加了一半,减少了晶圆上的物理X、Y尺寸,性能和功率更高,并首次采用Toggle DDR 4.0接口,数据传输率可达1.4Gbps,比上代提升40%。
三星还透露,已经首发容量达1Tb(128GB)容量的3D TLC闪存颗粒,数据传输率1.2Gbps,并支持32颗堆叠封装,从而实现4TB的单颗容量。
三星还将面向消费级市场推出QLC SSD,SATA接口,持续读写性能540MB/s、520MB/s,但具体型号、规格、时间未公布。
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