发力QLC？英特尔明年将推128层NAND

    Intel在今年的亚太研发中心媒体会议上，单独介绍了他们在NAND闪存上的最新进展，在存储产品中，Intel的构想是未来HDD机械硬盘在热数据上会被QLC闪存硬盘取代，其主要作用是作为大容量数据备份之用。

3D QLC

     英特尔认为，TLC闪存也会被取代，QLC未来是要担大任的，并且表示他们的技术已经做到了让QLC闪存的电压控制跟TLC闪存一个级别，所以在使用寿命方面并不用过多担忧。

    此外，Intel还提到在NAND闪存上他们起步要落后于三星等公司，但在3D NAND闪存时代追上来了，QLC闪存直接使用了64层堆栈，单核心容量就有1024Gb，预计2020年则会推出128层堆栈的QLC闪存。

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