英特尔于08年7月发布了自己的固态硬盘产品线，随后针对普通消费者的两款X18-M和X25-M即陆续上市。而性能更加强悍的X25-E一直到08年年底才出现在市场上。
英特尔X25-E固态硬盘外观
英特尔X25-E同X25-M的最大区别就是前者采用速度更快、数据遗失率更低的SLC封装，那么究竟SLC同MLC的具体区别在哪里呢?接下来我们为读者做一个简单的说明。
SLC全称单层式储存 (Single Level Cell)，是指一个Block(块，Flash的基本存储单元，也可称为Cell)只有两种电荷值，高低不同的电荷值表明0或者1，因为只需要一组高低电压就可以区分出0或者1信号，所以SLC最大的驱动电压可以做到很低。
SLC与MLC在结构上的区别
SLC因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC Flash可以经受10万次的读写，因此出现坏Block的几率较小，因为存储结构非常简单，一组电压即可驱动，所以其速度表现更好。不过这种一个 Block只存储一组数据的模式无法在相同的晶圆面积上实现较高的存储密度，所以只能在工艺制程方面努力进步，才能满足用户在容量方面的要求。
英特尔X25-E固态硬盘背面
英特尔X25-E为2.5英寸规格，采用50nm工艺SLC NAND闪存颗粒。在Intel官方公布的产品规格中，该产品通过采用10通道NAND读写架构、NCQ等技术，其持续读取速度和X25-M一样为250MB/s，但写入速度从X25-M的70MB/s大幅提升至170MB/s。
英特尔X25-E固态硬盘内部
X25-E在外观方面同X25-M几乎没有任何区别，接口为SATA 3Gb/s，容量为32GB，工作电压和电流为5V 1A。打开X25-E的内部，同X25-M也没有过多区别。简单的PCB板上整齐的排列着10颗SLC封装的NAND闪存颗粒。芯片周围还涂抹有黑色的防震胶，进一步提升X25-E应对恶劣工作环境的能力。
