明星编辑通过与上一代Intel X25-M固态硬盘的对比，我们可以明显看出新款320系列更换了25nm的MLC NAND芯片，并且通过制造工艺的提高，固态硬盘在容量方面就有了更大的选择，最大可达到600GB。
|
|
Intel 320 Series（G3） |
Intel X25-M（G2） |
|
代号 |
Postville Refresh |
Postville |
|
容量范围 |
40/80/120/160/300/600GB |
80/120/160GB |
|
NAND 工艺 |
IMFT 25nm MLC |
IMFT 34nm MLC |
|
持续读/写速度 |
Up to 270/220 MB/S |
Up to 250/100 MB/S |
|
随机4KB文件读写 |
Up to 39.5K/23K IOPS |
Up to 35K/8.6K IOPS |
|
尺寸大小 |
2.5英寸 |
2.5英寸 |
|
满载/空闲功耗 |
6.0/0.075W |
3.0/0.06W |
|
掉电保护 |
是 |
无 |
虽然主控芯片没有改变，但是新款320系列对主控的存储算法进行的升级，所以在性能上也得到了提升，最大连续读取速度可达270MB/S，写入方面则提升更明显，不过Intel会根据容量的不同进行限制。
在4KB随机读写性能上也提升到读39.5K IOPS和写23K IOPS，同样在写入方面提高甚多。另外，新款320系列屏蔽了12.8%的容量主要用于降低写入放大和磨损平衡和NAND闪存阵列中的冗余校验，并且支持掉电保护数据的新功能，这在老款X25-M中是没有的。功耗方面，由于容量的提升也有所增加。
上一代英特尔X25-M 34纳米80GB固态硬盘PCB正面
新款英特尔320 25纳米80GB固态硬盘PCB正面
从对比图可以明显看出新英特尔320 25纳米80GB固态硬盘增加了钽电容保护，一旦出现突然断电，可以利用这些电容将数据写入到Flash中，避免丢失。
从对比测试看，在读取方面，两款Intel的固态硬盘成绩非常接近，不过写入方面有近20MB/S的性能提升，虽然SSD固态硬盘容量越大性能越高，但是这样的提升成绩还是令人欣喜。
通过对比，我们看到新款320系列SSD在写入方面依然存在较大的优势，在4KB队列深度64测试中，新款达到14K IOPS，而老款仅为11K IOPS，提升非常明显。但是在写入方面，新老产品表现均非常稳定。
