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    起步1000MB/秒 最强1TB固态硬盘争霸战
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    ★另类RAID 三星840PRO 512GB SSD拆解

        BIWIN 1TB PCI-E SSD通过一个中央主控芯片对8个mSATA SSD进行读写行为控制,而三星840PRO 512GB SSD则是通过小型主控芯片对8个闪存芯片进行并行读写行为控制。

        如果说PCI-E SSD是一个存储卡,普通家用SSD实际也是一张存储卡,它的外表形似笔记本硬盘,而PCI-E SSD形似显卡。

    主控区别

    BIWIN 1TB PCI-E SSD

    三星840PRO 512GB SSD

    频率

    533MHz

    300MHz

    功耗

    整体30瓦

    整体7.5瓦

    控制载体

    8 pcs 128GB mSATA SSD

    8 pcs 64GB MLC NAND FLASH

    最高读写

    读取2916MB/s;写入2797 MB/s

    读取540 MB/s;写入520 MB/s

    破车变跑车 三星840Pro SSD重磅首测
    三星840PRO 512GB SSD拆解

    破车变跑车 三星840Pro SSD重磅首测 破车变跑车 三星840Pro SSD重磅首测
    三星840PRO 512GB SSD的PCB正反面特写

    ●三星840PRO SSD核心部件讲解

         在三星840PRO 512GB SSD的内部PCB主板上,单面即可实现512GB容量,总计8颗64GB容量的三星原厂MLC闪存芯片和SATA I/O主控制芯片。并且配备一颗三星512MB DDR2低电压缓存芯片。

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    三星S4LN021X01-8030 三核ARM主控芯片

      主控方面采用三星研发生产的S4LN021X01-8030 MDX主控芯片,属于ARM架构的Cortex-R4系列三核处理器,具备更强悍的多任务、多路数据读写传输能力。主要提高在算法设计和CPU的频率,和830系的220MHz MCX三核主控相比,840PRO MDX主控的频率提高到300MHz。

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    三星840PRO 512GB SSD的闪存芯片特写

      闪存方面采用8颗21nm制造工艺的三星原厂的K9PHGY8U7A-CCK0 MLC闪存芯片,单颗芯片容量为64GB。其闪存采用先进的Toggle 2.0 NAND Flash技术,它的带宽提高到400Mbps,而上一代830系SSD则采用Toggle 1.1技术,闪存带宽仅133Mbps。

    破车变跑车 三星840Pro SSD重磅首测
    三星840PRO 512GB SSD的缓存特写

        缓存方面,它的PCB板正面搭载有一颗容量高达512MB DDR2低电压高速缓存芯片,为整个SSD的读写提供高速的数据缓冲。对比830系SSD仅256MB的缓存相比,840系SSD的缓存容量提高了一倍。

        我们通过拆解三星840PRO 512GB SSD,了解到这款SSD从主控、闪存、缓存均由三星生产,并且三个核心部件的规格均有一定幅度提高。

        点评:单块三星840PRO 512GB SSD难以和单卡PCI-E SSD比拼性能。细心的网友是否注意到一个问题,为何单面的三星840PRO 512GB SSD不把另一面也焊上闪存,这样容量就能做到1TB。

        这样的做法将导致三星840PRO SSD的性能出现严重衰退,SSD厂家试图通过优化算法设计将性能衰退降到最低。至少现在三星840PRO SSD的最大容量仍为512GB。

        我们可以通过两块三星840PRO 512GB SSD组建RAID 0磁盘阵列系统,达成1TB容量,并且能让三星840PRO 512GB SSD发挥出两倍的性能。

     

    ssd.zol.com.cn true //ssd.zol.com.cn/336/3365862.html report 2210 ★另类RAID 三星840PRO 512GB SSD拆解 BIWIN 1TB PCI-E SSD通过一个中央主控芯片对8个mSATA SSD进行读写行为控制,而三星840PRO 512GB SSD则是通过小型主控芯片对8个闪存芯片进行并行读写行为控制。     如果说PCI-E SSD是一个存储卡,普通家用SSD实际...
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