三星850PRO是本次19款256GB SSD当中的性能最强者，它首次将3D闪存应用在家用SSD，并且是第二代32层3D V-NAND技术。此前闪存芯片所采用的2D平面型NAND技术是众多SSD厂商所采用的，该技术最大的瓶颈就在于，临近存储单元的堆放密度极限，如何在同等面积下容纳更多的存储单元成为了SSD升级面临的最大问题。

    3D闪存将850PRO的最大容量从840PRO的512GB翻倍提升至1TB，令人诧异的是这款SSD采用840 EVO的主控，两者主要区别在于闪存和配套的固件。由此可见3D闪存对于三星850PRO的关键作用，它能否解决M.2 PCIe SSD的性能与闪存成本、使用寿命之间的矛盾？

    ■3D闪存能否推动M.2 PCIe SSD普及？

家用M.2 PCIe SSD，其性能高出SATA SSD约25-30%

    M.2 PCIe SSD需要更长寿命、同时更低价格的闪存。长寿命的2D平面闪存卖出企业级的高昂价格，并且2D平面闪存的制造工艺越先进，其使用寿命成反比，并要求主控优化闪存算法。因此3D闪存在一定程度给M.2 PCIe SSD带来曙光，曙光能否如日中天，取决于3D闪存的制造工艺。

    ■望梅止渴 10nm级别3D闪存等两年

三星850PRO SSD采用的3D闪存

    三星采取渐进式发展的策略，第一代3D闪存采用40-50nm级别的制造工艺，应用于数据中心的845DC PRO SSD，其性能和现在的850PRO有不小的差距；第二代3D闪存则应用30nm级别的制造工艺，对比第一代3D闪存无论在容量还是性能，都有不小的提升。

    按照三星3D闪存的制造工艺推进速度，至少要等到后年推进到10nm级别。所幸东芝日前宣布3D闪存投产，多家竞争将加速3D闪存制造工艺的更新升级。届时更低成本、寿命更高、性能更高的3D闪存具备应用于M.2 PCIe SSD的可能。

    ▆2D闪存未淘汰 15nm闪存SSD明年推出

    3D闪存在探索中前进，厂家并未孤注一掷，而是采用双管齐下的战略。我们在今年看到美光16nm闪存应用于英睿达MX100，本月美光更将成熟的16nm闪存应用于OEM领域的旗舰级美光M600。明年东芝15nm闪存将大规模应用于新一代SATA3.0、M.2 SSD（SATA总线）。

    同时2D TLC闪存得到进一步应用，闪迪至尊高速II成为第二款上市、应用2D TLC闪存的家用SSD，它有助于延缓2D平面闪存的存在。

    简单点说，即将跨入2015年，采用19-20nm闪存的SSD将成为非主流。部分旗舰级SSD为了性能,固守东芝A19nm闪存。随着15/16nm闪存的普及应用，各级别SSD将大规模升级主控，同时SATA SSD的性能面临倒退；三星3D闪存 SSD不再是唯一，M.2 PCIe SSD仍将因为高价而曲高和寡。